反超台积电就靠它，Intel 20A工艺杀手锏之一惊艳首秀

　　5月6日，Intel一直在积极推进四年五代工艺节点的战略，2021-2024年间将陆续投产7、4、3、20A、18A。

　　其中，20A、18A将迈入埃米时代，大致可以立即为2nm、1.8nm，前者将追平台积电，后者则最终实现反超。

　　Intel 20A工艺将引入两种全新的工艺，PowerVia背部供电、RibbonFET全环绕栅极晶体管。

　　PwoerVia技术将传统位于芯片正面的供电层改到背面，与信号传输层分离，通过一系列TSV硅穿孔为芯片供电，可以大大降低供电噪声、电阻损耗，优化供电分布，提高整体能效。

　　计划6月11-16日举办的VLSI Symposium 2023研讨会上，Intel将首次展示PowerVia技术，不过用的不是20A工艺，而是基于Intel 4工艺的一颗测试芯片，架构则是E核。

　　这颗核心的面积仅为2.9平方毫米，得益于PowerVia技术，大部分区域的标准单元利用率都超过了90％(图中橙色区域)，其余的也基本都在80％之上(图中绿色区域)。

　　同时，PowerVia技术还带来了超过5％的频率提升，吞吐时间略高但可以接受，功耗发热情况符合预期。

　　除了用于自家产品，Intel也将使用PowerVia技术为客户代工，这也是提前展示其能力的一个原因。